小黒モリ

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Oguro存儲器
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雙語例句

  • 處理器 204通常基於存儲在存儲器 206內的程序指令,來執行邏輯和算術運算。
    プロセッサ204は一般に、メモリ206内に記憶されたプログラム命令に基づいて、論理および演算動作を実行する。
  • 微處理器 240中的存儲器可以用於存儲編程代碼和臨時變量。
    マイクロプロセッサ240中のメモリは、プログラミングコード及び一時的な変数を記憶するために用いられる。
  • 磁光盤; 以及 CD-ROM和 DVD-ROM盤。
    コンピュータプログラム命令およびデータを有形に具現するのに適した記憶デバイスは、すべての形態の不揮発性メモリを含み、例を挙げると、EPROM、EEPROM、およびフラッシュメモリデバイスなどの半導体メモリデバイス、内蔵ハードディスクおよび着脱可能ディスクなどの磁気ディスク、光磁気ディスク、ならびにCD-ROMおよびDVD-ROMディスクを含む。
  • 閃存 731存儲 CPU 732所執行的程序。
    フラッシュメモリ731は、CPU732により実行されるプログラムを記憶する。
  • 該圖像數據通過圖像處理單元 103存儲在白遮蔽存儲器 104中作為白遮蔽電平 (步驟S113)。
    この画像データは、画像処理部103を通じて白シェーディングレベルとして白シェーディングメモリ104に記憶される(ステップS113)。
  • 另外,ROM 56是預先存儲了程序和數據的非易失性存儲器。
    また、ROM56は、プログラムおよびデータを予め記憶した不揮発性のメモリである。
  • (ROM)、 可 編 程 ROM(PROM)、 電 可 編 程 ROM(EPROM)、 電 可 擦 除PROM(EEPROM)或者閃存。
    例示としてであり、制限するものではないが、不揮発性メモリは、リード・オンリー・メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、電気的にプログラム可能なROM(EPROM)、電気的消去可能ROM(EEPROM)またはフラッシュメモリを含むことができる。
  • 由白遮蔽電平的特性線 W表示的主掃描線上的各像素的灰度被存儲在白遮蔽存儲器 104中,而且由黑遮蔽電平的特性線 B表示的主掃描線上的各像素的灰度被存儲在黑遮蔽存儲器 105中。
    白シェーディングレベルの特性線Wによって示される主走査ライン上の各画素の諧調が白シェーディングメモリ104に記憶され、また黒シェーディングレベルの特性線Bによって示される主走査ライン上の各画素の諧調が黒シェーディングメモリ105に記憶される。
  • 作為一種替代方式,存儲器單元 301可以包括其他電路類型,諸如EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器 )、EPROM(電可編程只讀存儲器 )、ROM(只讀存儲器 )、ASIC(專用集成電路 )、磁盤 (例如軟盤 )、光盤 (例如 CD-ROM或者 DVD-ROM)、存儲卡、快閃存儲器和本領域中公知的其他類型。
    代替として、メモリユニット301は、EEPROM(電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ)、EPROM(電気プログラマブル読取り専用メモリ)、ROM(読取り専用メモリ)、ASIC(特定用途向け集積回路)、磁気ディスク(たとえば、フロッピーディスク)、光ディスク(たとえば、CD−ROMまたはDVD−ROM)、メモリカード、フラッシュメモリおよび当技術分野でよく知られている他のものなど、他の回路タイプを備えることができ得る。
  • 各個處理器 1030和 1070可以分別與存儲程序代碼和數據的存儲器1032和 1072相關。
    プロセッサ1030およびプロセッサ1070はそれぞれ、プログラム・コードおよびデータを格納するメモリ1032およびメモリ1072に関連付けられうる。
  • 相應處理器 930和 970可與存儲程序代碼和數據的存儲器 932和 972相關聯。
    それぞれのプロセッサ930および970は、プログラムコードおよびデータを記憶するメモリ932および972に関連付けできる。
  • 作為解說而不構成限定,非易失性存儲器可包括只讀存儲器 (ROM)、可編程 ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦式 PROM(EEPROM)或閃存。
    一例として、及び限定することなしに、非揮発性メモリは、読み取り専用メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、電気的プログラマブルROM(EPROM)、電気的消去可能PROM(EEPROM)、又はフラッシュメモリを含むことができる。
  • 存儲器 1022可存儲用於 eNB 122的程序代碼及數據。
    モリ1022は、eNB122に対するプログラムコードおよびデータを記憶してもよい。
  • 另外,第一閃存 23主要用作存儲操作信號處理 IC 21的程序的存儲器。
    また第1のフラッシュメモリ23は、主に、信号処理IC21を動作させるためのプログラムを記憶させておくメモリとして用いられる。
  • 存儲器 542和 582可分別存儲用於基站 502和終端 504的數據和程序代碼。
    モリ542および582は、基地局502および端末504用のデータおよびプログラムコードをそれぞれ格納してもよい。
  • 定時控制電路 140、信號處理電路 220、和線存儲器 230是數字電路。
    また、タイミング制御回路140、信号処理回路220、およびラインメモリ230はデジタル回路により構成される。
  • 存儲器 1442和 1482可以分別存儲用於 UE 120和 eNB 110的數據和程序代碼。
    モリ1442および1482は、それぞれUE 120およびeNB 110のためのデータおよびプログラムコードを保存することができる。
  • RAM 130是用作CPU 110的主存儲器 (主存儲裝置 )的存儲器,包括由CPU 110執行的程序的工作區等。
    RAM130は、CPU110のメインメモリ(主記憶装置)に用いられるメモリであり、CPU110において実行されるプログラムの作業領域等を備える。
  • 另外,RAM 57是在執行程序時暫時存儲其程序和數據的存儲器。
    また、RAM57は、プログラムを実行する際にそのプログラムおよびデータを一時的に記憶するメモリである。
  • 程序存儲器 6存儲圖像處理部 7、控制部 8等執行的各種處理所對應的程序。
    プログラムメモリ6は、画像処理部7、制御部8等で実行する各種処理に対応するプログラムを記憶する。
  • ROM 141是只讀存儲器,並且在其中存儲各種控制程序等。
    ROM141は、読み出し専用のメモリであり、各種制御プログラム等を記憶するものである。
  • 系統控制單元 50中的 CPU通過執行根據存儲在非易失性存儲器 56中並被裝載到系統存儲器 52的程序的方法,來實現這些流程圖。
    このフローチャートは、不揮発性メモリ56に記憶されたプログラムがシステムメモリ52に展開されて、システム制御部50内のCPUが当該プログラムにかかる方法を実行することにより実現される。
  • 處理器 1390和 1350都可與用於存儲程序代碼和數據的存儲器單元 (未示出 )相關聯。
    それぞれのプロセッサ1390および1350は、プログラムコードおよびデータを記憶するメモリユニット(図示せず)と関連付けられることが可能である。
  • 存儲單元 33還存儲程序、應用程序 (軟件 )等。
    モリユニット33はまた、プログラム、アプリケーション(ソフトウエア)等を記憶する。
  • 存儲器 22例如包括 ROM和 RAM,並存儲數據和 CPU 21執行的程序。
    モリー22は、例えばROMとRAMとを備えており、CPU21によって実行されるプログラムやデータを記憶する。
  • 在存在激活程序的命令的情況下,存儲設備 203從輔助存儲器設備 202中讀出程序並在其中存儲所述程序。
    モリ装置203は、プログラムの起動指示があった場合に、補助記憶装置202からプログラムを読み出して格納する。
  • 存儲器 1012可存儲用於 UE 110的程序代碼及數據。
    モリ1012は、UE110に対するプログラムコードおよびデータを記憶してもよい。
  • 內部存儲器 24存儲將在圖像顯示裝置 1中設置的各種常數、將被 CPU 27執行的程序等。
    内部メモリ24は、画像表示装置1において設定される各種定数、およびCPU27が実行するプログラム等を記憶する。
  • ROM 41存儲由 CPU 31執行的程序,而 RAM 43用作 CPU 31的工作存儲器。
    ROM41にはCPU31が実行するプログラムが記憶されており、RAM43は、CPU31のワークメモリとして使用される。
  • RAM 150是在 CPU 160的主存儲器 (主存儲設備 )中使用的存儲器,包括用於在CPU 160中運行的程序的工作區域等,並且臨時保持由 CPU 160執行各種處理所需的程序或者數據。
    RAM150は、CPU160のメインメモリ(主記憶装置)に用いられるメモリであり、CPU160において実行されるプログラムの作業領域等を備え、CPU160が各種の処理を行う上で必要なプログラムやデータが一時的に保持される。
  • 存儲裝置 35用於保存由 CPU36從輔助存儲裝置 34中所讀出的執行程序。
    モリ装置35は、CPU36により補助記憶装置34から読み出された実行プログラム等を格納する。
  • 存儲器 1305可體現為隨機存取存儲器 (RAM)、只讀存儲器 (ROM)、磁盤存儲媒體、光學存儲媒體、RAM中的快閃存儲器裝置、隨處理器包含的機載存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、寄存器等,包含其組合。
    モリ1305は、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読み取り専用メモリ(ROM)、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、RAM内のフラッシュメモリデバイス、プロセッサとともに含められた搭載メモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、等、として具現化することができ、それらの組み合わせを含む。
  • 控制部 2通過處理器 4、存儲器 6和操作系統 (Operating System,OS)而發揮功能。
    制御部2は、プロセッサ4と、メモリ6と、オペレーティングシステム(Operating System、OS)により機能する。
  • 另外,與這些任務相對應的控制程序存儲在閃存 38中。
    なお、これらのタスクに対応する制御プログラムは、フラッシュメモリ38に記憶される。
  • ROM 140是只讀存儲器,並且存儲各種控制程序等。
    ROM140は、読み出し専用のメモリであり、各種制御プログラム等を記憶するものである。
  • 再有,對應這些任務的控制程序被存儲在閃速存儲器44中。
    なお、これらのタスクに対応する制御プログラムは、フラッシュメモリ44に記憶される。
  • 另外,閃存 117還存儲微計算機 115所執行的各種程序。
    また、Flashメモリ117は、マイクロコンピュータ115にて実行する各種プログラムも記憶している。
  • 術語存儲器可指代各種類型的處理器可讀媒體,例如隨機存取存儲器 (RAM)、只讀存儲器 (ROM)、非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM)、可編程只讀存儲器 (PROM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除 PROM(EEPROM)、快閃存儲器、磁性或光學數據存儲裝置、寄存器等。
    用語メモリは、様々なタイプのプロセッサによって読み取り可能な媒体、例えば、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読み取り専用メモリ(ROM)、非揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)、プログラマブル読み取り専用メモリ(PROM)、消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ(EPROM)、電気的消去可能PROM(EEPROM)、フラッシュメモリ、磁気記憶装置、光学記憶装置、レジスタ、等、を意味することができる。
  • 這樣,在將白遮蔽電平和黑遮蔽電平存儲在白遮蔽存儲器 104和黑遮蔽存儲器105中後,控制單元 106一邊參照白遮蔽存儲器 104內的白遮蔽電平 (步驟 S116),一邊將像素的序號 i初始設為“1”(步驟 S117)。
    こうして白シェーディングレベル及び黒シェーディングレベルを白シェーディングメモリ104及び黒シェーディングメモリ105に記憶した後、制御部106は、白シェーディングメモリ104内の白シェーディングレベルを参照しつつ(ステップS116)、画素の順番iを「1」に初期設定する(ステップS117)。
  • 與這些任務對應的控制程序被存儲至閃存 44中。
    これらのタスクに対応する制御プログラムは、フラッシュメモリ44に記憶される。